SSD 1To 2.5 SATA3 SAMSUNG 860 QVO Réf   MZ-76Q1T0BW GARANTIE CONSTRUCTEUR 3 ANS
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SSD 1To 2.5 SATA3 SAMSUNG 860 QVO Réf : MZ-76Q1T0BW GARANTIE CONSTRUCTEUR 3 ANS

Référence NCS : SSD-1T-860QVO-SAM
Référence Fabricant : MZ-76Q1T0BW
Samsung 860 QVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 550 Mo/s, Vitesse d'écriture: 520 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: Ordinateur portable
Caractéristiques
Facteur de forme SSD2.5"
Capacité du Solid State Drive (SSD)1000 Go
InterfaceSérie ATA III
Type de mémoireV-NAND MLC
Type Flash NANDMLC (Multi Level Cell)
NVMeNon
composant pourOrdinateur portable
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taux de transfert des données6 Gbit/s
Vitesse de lecture550 Mo/s
Vitesse d'écriture520 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)96000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)89000 IOPS
Type de contrôleurSamsung MJX
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support TRIMOui
ECCOui
IEEE 1667Oui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Collecte des déchets activeOui
TCG Opal 2.0Oui
Classe TBW1440
Puissance
Tension de fonctionnement5 V
Consommation (max)4 W
Consommation d'énergie (moyenne)2,2 W
Consommation électrique (idle)0,03 W
Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
Choc durant le fonctionnement1500 G
Poids et dimensions
Largeur100 mm
Profondeur69,8 mm
Hauteur6,8 mm
Poids51 g
Autres caractéristiques
Couleur du produitArgent

Fiche technique

Couleur du produit
Argent
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Poids
51 g
Largeur
100 mm
Profondeur
6,8 mm
Hauteur
69,8 mm
composant pour
Ordinateur portable
ECC
Oui
Facteur de forme SSD
2.5"
Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Interface
Série ATA III
Tension de fonctionnement
5 V
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Vitesse de lecture
550 Mo/s
Vitesse d'écriture
520 Mo/s
Consommation électrique (idle)
0,03 W
Type de mémoire
V-NAND MLC
Type Flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
NVMe
Non
Classe TBW
1440
Consommation d'énergie (moyenne)
2,2 W
Lecture aléatoire (4KB)
96000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
89000 IOPS
Type de contrôleur
Samsung MJX
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Consommation (max)
4 W
Collecte des déchets active
Oui
IEEE 1667
Oui
TCG Opal 2.0
Oui
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