SSD 2To 2.5 SATA3 SAMSUNG 860 QVO Réf   MZ-76Q2T0BW GARANTIE CONSTRUCTEUR 3 ANS
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SSD 2To 2.5 SATA3 SAMSUNG 860 QVO Réf : MZ-76Q2T0BW GARANTIE CONSTRUCTEUR 3 ANS

Référence NCS : SSD-2T-860QVO-SAM
Référence Fabricant : MZ-76Q2T0BW
Samsung 860 QVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2000 Go, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 550 Mo/s, Vitesse d'écriture: 520 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: PC
Caractéristiques
Facteur de forme SSD2.5"
Capacité du Solid State Drive (SSD)2000 Go
InterfaceSérie ATA III
Type de mémoireMLC
composant pourPC
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Taux de transfert des données6 Gbit/s
Vitesse de lecture550 Mo/s
Vitesse d'écriture520 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)97000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)42000 IOPS
Type de contrôleurSamsung MJX
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Fonctions de protectionRésistant aux chocs
Collecte des déchets activeOui
Classe TBW720
Puissance
Consommation (max)4 W
Consommation d'énergie (moyenne)3 W
Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
Poids et dimensions
Largeur100 mm
Profondeur69,8 mm
Hauteur6,8 mm
Poids60 g
Informations sur l'emballage
Type d'emballageBoîte
Autres caractéristiques
Couleur du produitNoir

Fiche technique

Couleur du produit
Noir
Capacité du Solid State Drive (SSD)
2000 Go
Poids
60 g
Largeur
100 mm
Profondeur
69,8 mm
Hauteur
6,8 mm
composant pour
PC
Facteur de forme SSD
2.5"
Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Interface
Série ATA III
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Vitesse de lecture
550 Mo/s
Vitesse d'écriture
520 Mo/s
Type d'emballage
Boîte
Type de mémoire
MLC
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Support TRIM
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Fonctions de protection
Résistant aux chocs
Classe TBW
720
Consommation d'énergie (moyenne)
3 W
Lecture aléatoire (4KB)
97000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
42000 IOPS
Type de contrôleur
Samsung MJX
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Consommation (max)
4 W
Collecte des déchets active
Oui
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